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J-GLOBAL ID：200902229998648814   整理番号：03A0773171

Si(111)基板上でのCuナノワイヤの選択的成長

Selective Growth of Cu Nanowires on Si(111) Substrates
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著者 (5件)：
TOKUDA N

TOKUDA N について

(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)

Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN について

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HOJO D

HOJO D について

(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)

Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN について

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YAMASAKI S

YAMASAKI S について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN について

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MIKI K

MIKI K について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN)

National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Tsukuba, JPN について

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YAMABE K

YAMABE K について

(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)

Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters について


巻： 42  号： 10A  ページ： L1210-L1212  発行年： 2003年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si(111)基板上のステップ端線に沿って幅10nm,長さ0...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*銅

銅 について

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分類 (2件)：
分類
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金属薄膜 
(BK14030T)

金属薄膜 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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Si

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Cu

Cu について

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ナノワイヤ

ナノワイヤ について

, 
選択的成長

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