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J-GLOBAL ID：200902206908206036   整理番号：05A0070481

RFプラズマ分子ビームエピタクシーにおける薄層低温堆積とアニーリングの繰り返しにより形成した島状GaNバッファを用いたサファイア基板上でのGaN結晶成長

GaN Crystal Growth on Sapphire Substrate Using Islandlike GaN Buffer Formed by Repetition of Thin-Layer Low-Temperature Deposition and Annealing in rf-Plasma Molecular Beam Epitaxy

著者 (4件)： SHIMIZU M (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HIRATA Y (Meiji Univ., Kanagawa, JPN) ,  PIAO G (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 12A  ページ： L1537-L1539  発行年： 2004年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 我々は,RFプラズマ分子ビームエピタクシー(MBE)システム...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (4件)：

• 1) I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu and N. Sawaki: J. Cryst. Growth 98 (1989) 209.
• 2) S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1705.
• 3) H. Fujikura, K. Iizuka and S. Tanaka: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 2767.
• 4) B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaars and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 643.

タイトルに関連する用語 (11件)： RFプラズマ ,  分子ビームエピタクシー ,  薄層 ,  低温 ,  堆積 ,  アニーリング ,  島 ,  GaN ,  バッファ ,  サファイア基板 ,  結晶成長