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J-GLOBAL ID：200902210129466657   整理番号：06A0557425

Si(110)基板上に形成した非常に長いErSi₂ナノワイヤの形成と構造解析

Formation and Structure Analysis of Very Long ErSi₂ Nanowires Formed on Si(110) Substrates

著者 (7件)： WATANABE Ryouki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HARAKO Susumu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KUZUU Takashi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOUNO Kazuki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Tomohiro (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MEGURO Takashi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  ZHAO Xinwei (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 6B  ページ： 5535-5537  発行年： 2006年06月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(110)基板上に非常に長いErSi<sub>2</su...

シソーラス用語： ナノ構造 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (9件)：

• K. N. Tu, R. D. Thomson and B. Y. Tsaur: Appl. Phys. Lett.38(1981)626.
• S. Harako, K. Kouno, S. Komuro, A. Ohata and X. Zhao: J. Cryst. Growth 275(2005)2263.
• C. Ohbuti and J. Nogami: Phys. Rev. B 66(2002)165323.
• Z. He, M. Stevens, D. J. Smith and P. A. Bennett: Appl. Phys. Lett.83(2003)5292.
• J. E. E. Baglin, F. M. d’Heurle and C. S. Petersson: J. Appl. Phys.52(1981)2841.

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ナノワイヤ ,  構造解析