走査型非線形誘電顕微鏡法による縦型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの極薄チャネル内におけるドーパントプロフィールの明示

MASAHARA Meishoku; HOSOKAWA Shinichi; MATSUKAWA Takashi; ENDO Kazuhiko; NAITOU Yuichi; TANOUE Hisao; SUZUKI Eiichi

文献

J-GLOBAL ID：200902213483814661 整理番号：05A0535207

走査型非線形誘電顕微鏡法による縦型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの極薄チャネル内におけるドーパントプロフィールの明示

Demonstration of Dopant Profiling in Ultrathin Channels of Vertical-Type Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor by Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy

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資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2400-2404 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

この研究では縦型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トラン...

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トランジスタ

引用文献 (17件)：

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