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J-GLOBAL ID：200902214324304500   整理番号：09A0713413

H₂Oを意図的に添加したNH₃を用いて作製したInGaN/GaN発光ダイオードの性能評価

Evaluation of Performance of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes Fabricated Using NH₃ with Intentionally Added H₂O

著者 (10件)： OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  ISHIDA Fumio (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  MITSUI Yasutomo (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  MANGYO Hirotaka (Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN) ,  KOBAYASHI Yoshihiko (Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN) ,  ONO Hiroyuki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN) ,  IKENAGA Kazutada (Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN) ,  YANO Yoshiki (Taiyo Nippon Sanso Corp., Tokyo, JPN) ,  MATSUMOTO Koh (TN EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 6,Issue 1  ページ： 062102.1-062102.4  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H₂Oを意図的に添加したNH₃を用いて作製したInGaN/GaN発光ダイオードの性能を調べた。NH₃中のH₂Oを光分析装置を用いて定量的に評価した。活性層中の酸素濃度を二次イオン質量分析により測定した。H₂O濃度が増すと酸素濃度が増加した。また,酸素はGaN障壁層よりもInGaN量子井戸層に優先的に取込まれた。LEDの性能はH₂O濃度の上昇と共に顕著に劣化した。多重量子井戸層中の酸素は漏れ電流を増大させることを電流電圧特性により示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  濃度 ,  二次イオン質量分析 ,  *多重量子井戸 ,  漏れ電流 ,  電流電圧特性 ,  性能評価
準シソーラス用語： 酸素濃度

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (14件)：

• H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda: Jpn. J. Appl. Phys. 36(1997) 5393.
• S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford, and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66(1995) 1249.
• S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 69(1996) 4188.
• T. Sugahara, H. Sato, M. Hao, Y. Naoi, S. Kurai, S. Tottori, K. Yamashita, K. Nishino, L. T. Romano, and S. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 37(1998) L398.
• A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui: Appl. Phys. Lett. 71(1997) 2259.

タイトルに関連する用語 (8件)： H2O ,  意図 ,  NH3 ,  作製 ,  InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  性能評価