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J-GLOBAL ID：200902215057257880   整理番号：09A0334351

InPホットエレクトロントランジスタにおける高相互コンダクタンスと高電圧利得に対するゲート絶縁の改良

Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain

著者 (3件)： SAITO Hisashi (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA Kazuhito (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 3  ページ： 034501.1-034501.3  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この論文では,InPホットエレクトロントランジスタのゲート絶縁の改良に関するデバイス特性について報告する。ゲートと電子移動領域との距離が増加するとともに,ゲートのブレークダウン電圧は0.5から2.5Vへと増加した。その結果,相互コンダクタンスがピークを示す適切なゲートバイアスを加えることができた。相互コンダクタンスは55から130mS/mmへと増大した。出力コンダクタンスを減らした場合,開回路電圧利得は約10となった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  *ホットエレクトロン ,  相互コンダクタンス ,  利得 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  *トランジスタ ,  絶縁破壊電圧
準シソーラス用語： *ホットエレクトロントランジスタ ,  トランスコンダクタンス ,  絶縁性 ,  ブレークダウン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• MIYAMOTO, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, 7221
• SUWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L202
• SUWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, L617
• IGARASHI, M. Phys. Status Solidi C. 2008, 5, 70
• IDA, M. IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 694

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  相互コンダクタンス ,  高電圧利得 ,  ゲート ,  絶縁