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J-GLOBAL ID：200902219989517337   整理番号：09A0330568

金属/Hfベースの高kゲート積層での仕事関数シフトに関する系統的研究

Systematic study on work-function-shift in metal/Hf-based high-k gate stacks

著者 (8件)： KITA Yuki (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  YOSHIDA Shinichi (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  HOSOI Takuji (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN) ,  SHIRAISHI Kenji (Graduate School of Pure and Applied Sci., Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  NARA Yasuo (Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN) ,  YAMADA Keisaku (Nanotechnology Res. Laboratories, Waseda Univ., Shinjuku, Tokyo 162-0041, JPN) ,  WATANABE Heiji (Graduate School of Engineering, Osaka Univ., Suita, Osaka 565-0871, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 12  ページ： 122905  発行年： 2009年03月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート電極材料の仕事関数(WF)について,Hfベース高kゲート誘電体との接触に起因する変化を,容量電圧曲線でのフラットバンド電圧(V_fb)シフトによって調べ,WFを改変する界面双極子をX線光電子分光法で評価した。著者らは,負のV_fbシフトと,対応する界面双極子を観測した。この結果は,Hfベース酸化物での酸素空格子点(V_O)の形成を示唆した。対照的に,清浄なHfベース誘電体上に金電極が形成されると,正のV_fbシフトと界面双極子を観測した。この結果は,Shiraishiら(Tech.-Dig.Int.Electron Devices Meet.43,(2005))が理論で予測したように,Au/HfSiON界面でのAu-Hfボンド混成も,効果的なWF変調をもたらすことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *仕事関数 ,  容量電圧特性 ,  X線光電子スペクトル ,  ハフニウム化合物 ,  ケイ素化合物 ,  酸化物 ,  窒化物 ,  MOCVD ,  基板 ,  ケイ素 ,  焼なまし ,  空格子点 ,  酸素 ,  電極 ,  金 ,  界面 ,  電気双極子 ,  コンデンサ ,  多層 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  高k誘電体

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  電子放出一般  (BM09010H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： HF ,  ゲート ,  仕事関数 ,  シフト ,  研究