文献

J-GLOBAL ID：200902221676063496   整理番号：08A0452379

金属ゲート電極における結晶微細構造チューニングによるフラットバンド電圧の広い可制御性

Wide Controllability of Flatband Voltage by Tuning Crystalline Microstructures in Metal Gate Electrodes

著者 (14件)： OHMORI K. (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OHMORI K. (National Inst. Materials Sci.) ,  CHIKYOW T. (National Inst. Materials Sci.) ,  HOSOI T. (Osaka Univ.) ,  WATANABE H. (Osaka Univ.) ,  NAKAJIMA K. (National Inst. Materials Sci.) ,  ADACHI T. (National Inst. Materials Sci.) ,  ISHIKAWA A. (National Inst. Materials Sci.) ,  SUGITA Y. (Semiconductor Leading Edge Technol.) ,  NARA Y. (Semiconductor Leading Edge Technol.) ,  OHJI Y. (Semiconductor Leading Edge Technol.) ,  SHIRAISHI K. (Univ. Tsukuba) ,  YAMABE K. (Univ. Tsukuba) ,  YAMADA K. (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2007 Vol.1  ページ： 345-348  発行年： 2007年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不純物ドーピング技術はゲート電極の有効WF(仕事関数)を調整するため集中的に研究されている。しかし,不純物ドーピングを用いたWFの制御範囲は~±0.3eVであった。本稿では,Ru-Mo系で観察したユニークな性質を用いて,管理した結晶構造制御が金属/高k界面での有効WFのさらなる可変性を可能にすることを提案した。Ru電極への10-30%のMo添加による,金属/高k界面でのMo偏析のために,V_fb値を著しく調整できることを示した。この現象は金属電極の結晶構造と密接に関連している。RuとMo偏析電極間の広いV_fb可制御性をHfSiONキャパシタで観察した。さらに,C結合は小さな結晶粒度の金属電極取得において有効である。それにより,V_fbのさらなる可制御性を達成した。また,電気特性の可変性を抑制するために,管理した結晶粒度制御は,32~22nmノードおよびそれ以上においてキープロセス技術である。

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  半導体電極 ,  微細構造 ,  最適化 ,  *電圧 ,  *可制御性 ,  不純物 ,  ドーピング ,  仕事関数 ,  ルテニウム ,  モリブデン ,  絶縁膜 ,  電気特性 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： HfSiON ,  Mo ,  Ru ,  *フラットバンド電圧 ,  *金属ゲート ,  性能チューニング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゲート電極 ,  結晶微細構造 ,  チューニング ,  フラットバンド電圧 ,  可制御性