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J-GLOBAL ID：200902228368832122   整理番号：09A0862826

Ybドープ2次元電子系におけるYbトラップ準位の考察

著者 (4件)： 海津利行 (物質・材料研究機構) ,  高増正 (物質・材料研究機構) ,  竹端寛治 (物質・材料研究機構) ,  今中康貴 (物質・材料研究機構)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 64  号： 2 第4分冊  ページ： 591  発行年： 2009年08月18日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  ヒ化ガリウムアルミニウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *電子系 ,  ドーピング ,  イッテルビウム ,  *捕獲中心 ,  キャリア散乱 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  人工超格子 ,  *二次元電子系

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： Yb ,  ドープ ,  2次元電子系 ,  トラップ準位