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J-GLOBAL ID：200902231306408996   整理番号：07A0478838

FePtナノドットを用いた新しい磁気ナノドットメモリ

New Magnetic Nanodot Memory with FePt Nanodots

著者 (9件)： YIN Cheng-Kuan (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MURUGESAN Mariappan (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Sendai, JPN) ,  BEA Ji-Chel (Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Sendai, JPN) ,  OOGANE Mikihiko (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUKUSHIMA Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANAKA Tetsu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KONO Shozo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAMUKAWA Seiji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KOYANAGI Mitsumasa (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 4B  ページ： 2167-2171  発行年： 2007年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FePtナノドットをもつ新しい磁気ナノドットメモリ(MND)...

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,...

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分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (11件)：

• M. Takada, S. Kondoh, T. Sakaguchi, H. Choi, J. C. Shim, H. Kurino, and M. Koyanagi: IEDM Tech. Dig., 2003, p. 553.
• T. Sakaguchi, Y. G. Hong, M. Kobayashi, H. Choi, J. C. Shim, H. Kurino, and M. Koyanagi: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)2203.
• C. K. Yin, J. C. Bea, Y. G. Hong, T. Fukushima, M. Miyao, K. Natori, and M. Koyanagi: Jpn. J. Appl. Phys.45(2006)3217.
• C. K. Yin, J. C. Bea, M. Nishijima, T. Fukushima, T. Tanaka, M. Miyao, and M. Koyanagi: Appl. Phys. Lett.89(2006)063109.
• S. Sun, C. B. Muray, D. Weller, L. Folks, and A. Moser: Science 287(2000)1989.

タイトルに関連する用語 (2件)： ナノドット ,  磁気