立方対称的な孔配置および乱れた孔配置を持つ3次元の等方的な多孔質シリカ薄膜の誘電定数と弾性率に関する理論的な研究

MIYOSHI Hidenori; YAMADA Kazuhiro; KOHMURA Kazuo; FUJII Nobutoshi; MATSUO Hisanori; TANAKA Hirofumi; OKU Yoshiaki; SEINO Yutaka; HATA Nobuhiro; KIKKAWA Takamaro; KIKKAWA Takamaro

文献

J-GLOBAL ID：200902232803842841 整理番号：05A0763830

立方対称的な孔配置および乱れた孔配置を持つ3次元の等方的な多孔質シリカ薄膜の誘電定数と弾性率に関する理論的な研究

Theoretical Investigation of Dielectric Constant and Elastic Modulus of Three-Dimensional Isotropic Porous Silica Films with Cubic and Disordered Pore Arrangements

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0763830&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0763830&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 44 号： 8 ページ： 5982-5986 発行年： 2005年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

自己組織化によって作製された3次元多孔質シリカ薄膜の誘電定数...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0763830&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

誘電体一般 , 固体の機械的性質一般

引用文献 (32件)：

1) The International Technology Roadmap for Semiconductors 2003 Edition (Semiconductor Industry Association, 2003).
2) A. Jain, S. Rogojevic, W. N. Gill, J. L. Plawsky, I. Matthew, M. Tomozawa and E. Simonyi: J. Appl. Phys. 90 (2001) 5832.
3) C. M. Flannery, T. Wittkowski, K. Jung, B. Hillebrands and M. R. Baklanov: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4594.
4) S. Lin, C. Jin, L. Lui, M. Tsai, M. Daniels, A. Gonzalez, J. T. Wetzel, K. A. Monning, P. A. Winebarger, S. Jang, D. Yu and M. S. Liang: Proc. 2001 Int. Interconnect Technol. Conf., San Francisco, 2001 (IEEE Press, Piscataway, NJ, 2001) p. 146.
5) H. Miyoshi, H. Matsuo, Y. Oku, H. Tanaka, K. Yamada, N. Mikami, S. Takada, N. Hata and T. Kikkawa: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 498.

, , , , , ,

前のページに戻る