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J-GLOBAL ID：200902245468414800   整理番号：05A0145638

PECVD成膜装置内での粒子汚染現象に対する操作流量の影響

Effects of Gas Flow Rate on Particulate Contamination in a PECVD Reactor

著者 (5件)： 林豊 (広島大 大学院工学研究科) ,  島田学 (広島大 大学院工学研究科) ,  SETYAWAN H (科学技術振興機構) ,  奥山喜久夫 (広島大 大学院工学研究科) ,  柏原伸紀 (科学技術振興機構)
資料名： 粉体工学会誌  (Journal of the Society of Powder Technology, Japan)
巻： 42  号： 2  ページ： 105-109  発行年： 2005年02月10日 
JST資料番号： S0129A  ISSN： 0386-6157  CODEN： FKKADA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,オルトケイ酸テトラエチルと酸素を用いたSiO<s...

シソーラス用語： *プラズマCVD ,...
準シソーラス用語： *シリカ ,...

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分類 (2件)： 反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

物質索引 (1件)： オルトけい酸テトラエチル

引用文献 (11件)：

• BOUCHOULE, A. Particle Generation and Behavior in a Silane-Argon Low-Pressure Discharge under Continuous or Pulsed Radio-Frequency Excitation. J. Appl. Phys. 1991, 70, 1991-2000
• SETYAWAN, H. Characterization of Fine Particle Trapping in Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Reactor. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5525-5531
• CARLILE, R. N. Electrostatic Trapping of Contamination Particles in a Process Plasma Environment. Appl. Phys. Lett. 1991, 59, 1167-1169
• MATSUOKA, Y. Effects of Gas Flow on Particle Growth in Silane RF Discharges. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 4556-4560
• SETYAWAN, H. Particle Formation and Trapping Behavior in a TEOS/O_2 Plasma and Their Effects on Contamination of a Si Wafer. Aerosol Sci. Technol. 2004, 38, 2, 120-127

タイトルに関連する用語 (5件)： PECVD ,  成膜装置 ,  粒子汚染 ,  現象 ,  流量