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J-GLOBAL ID：200902247775351869   整理番号：07A0355288

UV光励起オゾンを用いたポリシリコンの低温酸化

Oxidation on Poly Silicon at Low Temperature Using UV Light-excited Ozone Gas

著者 (8件)： 亀田直人 (明電舎) ,  亀田直人 (産業技術総合研) ,  西口哲也 (明電舎) ,  西口哲也 (産業技術総合研) ,  森川良樹 (明電舎) ,  花倉満 (明電舎) ,  野中秀彦 (産業技術総合研) ,  一村信吾 (産業技術総合研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 50  号： 3  ページ： 208-210  発行年： 2007年03月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： オゾンガスにKrFエキシマレーザを照射することにより生成した...

シソーラス用語： エキシマレーザ ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (15件)：

• 1) A Tosaka, T. Nishiguch, H. Nonaka and S. Ichimura: Jpn. J. Appl. Phys., 44 (2005) L1144-L1146.
• 2) A. Tosaka, T. Nishiguchi, H. Nonaka and S. Icimura: Shinku, 48 (2005) 309-312.
• 3) A. Tosaka, T. Nishiguchi, H. Nonaka and S. Icimura: Shinku, 49 (2006) 123-125.
• 4) T. Nishiguch, Y. Morikawa, M. Kekura, H. Nonaka and S. Ichimura: Rev. Sci. Instrum., 73 (2002) 1217-1223.
• 5) S. Ichimura, H. Nonaka, Y. Morikawa, T. Noyori, T. Nishiguch and M. Kekura: J. Vac. Sci. Technol., A22(4) (2004) 1410-1414.

タイトルに関連する用語 (5件)： UV光 ,  励起 ,  オゾン ,  ポリシリコン ,  低温酸化