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J-GLOBAL ID：200902251647000716   整理番号：08A1175868

レーザー駆動パンチアウトターゲットからの極端紫外(EUV)光放射

Extreme Ultraviolet (EUV) Radiation from Punched-Out Target

著者 (11件)： 島田義則 (レーザー技術総合研) ,  前田真佑 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  藤岡慎介 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  砂原淳 (レーザー技術総合研) ,  井澤靖和 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  西村博明 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  西原功修 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  長井圭治 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  乗松孝好 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  宮永憲明 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ) ,  三間圀興 (大阪大 レーザーエネルギー学研究セ)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 36  号： 11  ページ： 736-741  発行年： 2008年11月15日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代リソグラフィーとしてEUVリソグラフィーが注目されている。EUV光源には,キセノンなどの原子プラズマ状態にさせ,そこから放出されるEUV光を用いる。可能な限り発生デブリを制御するため,パンチアウト方式を検討した。パンチアウトされた錫ジェットの飛翔状態,飛翔行速度,ジェット内での密度分布などの計測を行い,錫パンチアウト方式を用いた場合におけるターゲット飛翔状態を評価した。また,このターゲットに炭酸ガスレーザやYAGレーザなどの加熱レーザを照射した場合のEUV光の特性についても述べた。ドット状のターゲットにすることで横方向の広がりを抑制し,前方の一方向に飛翔させることができた。

シソーラス用語： 極端紫外線 ,  電磁波放射 ,  ターゲット ,  駆動場 ,  パルスレーザ照射 ,  *レーザプラズマ ,  *紫外光源 ,  炭酸ガスレーザ ,  *フォトリソグラフィー ,  キセノン ,  砕屑堆積物 ,  スズ ,  プラズマ密度 ,  YAGレーザ ,  横方向
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  デブリス ,  *パンチアウトターゲット

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光源  (BD07020D) ,  プラズマ中の電磁波  (BJ02032F)

引用文献 (8件)：

• 1) R. C. Spitzer, et al.: J. Appl. Phys. 79 (1996) 2251.
• 2) T. Tomie: J. Plasma Fusion Res. 79 (2003) 234.
• 3) Y. Shimada, et al.: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 051501.
• 4) S. Uchida, et al.: International Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL 2004) Symposium, Miyazaki, Japan.
• 5) T. Ando, et al.: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 293.

タイトルに関連する用語 (4件)： レーザー ,  極端紫外 ,  EUV ,  光放射