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J-GLOBAL ID：200902255437039631   整理番号：09A0524055

Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術

Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate

著者 (7件)： 半田浩之 (東北大 電通研) ,  宮本優 (東北大 電通研) ,  齋藤英司 (東北大 電通研) ,  吹留博一 (東北大 電通研) ,  伊藤隆 (東北大 学際科学国際高等研究セ) ,  末光眞希 (東北大 電通研) ,  末光眞希 (JST-CREST)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 16(ED2009 1-17)  ページ： 39-43  発行年： 2009年04月16日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている。しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である。その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した。(著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  焼なまし ,  炭化ケイ素 ,  *MBE成長 ,  シラン ,  *シラン誘導体 ,  *グラフェン ,  *有機シラン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• NOVOSELOV, K. S. Electric field effect in atomically thin carbon films. Science. 2004, 306, 666-669
• MOROZOV, S. V. Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer. Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016602
• LIN, Yu-Ming. Operation of Graphene Transistors at Gigahertz Frequencies. Nano Lett. 2009, 9, 1, 422-426
• SON, Young-Woo. Half-metallic graphene nanoribbons. Nature. 2006, 444, 347-349
• NOVOSELOV, K. S. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature. 2005, 438, 197-200

タイトルに関連する用語 (4件)： Si基板 ,  高移動度 ,  チャネル ,  層形成