文献

J-GLOBAL ID：200902260104536542   整理番号：03A0814080

RFスパッタ法で作製した不均一AlドープZnO薄膜の結晶状態と電気特性との関係

Relationship between Crystal Structure and Electrical Properties of Nonuniform Al-Doped ZnO Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

著者 (5件)： 菅原智明 (北海道工技セ) ,  下野功 (北海道工技セ) ,  辻野二朗 (北海道電力) ,  本間工士 (北海道電力) ,  福田永 (室蘭工大)
資料名： 日本セラミックス協会学術論文誌  (Journal of the Ceramic Society of Japan)
巻： 111  号： 1299  ページ： 831-836  発行年： 2003年11月01日 
JST資料番号： F0382A  ISSN： 0914-5400  CODEN： JCSJEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RFスパッタリング法を用いて非晶質シリカ基板上にZnO膜を作...

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,...
準シソーラス用語： シリカ

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (19件)：

• 1) Strehlow, W. H. and Cook, E. L., J. Phys. Chem. Ref. Data, Vol. 2, pp. 163-199 (1973).
• 2) Shirasaki, S., Ceramics Japan, Vol. 18, pp. 918-926 (1983) [in Japanese].
• 3) Minami, T., Oyo-Buturi, Vol. 61, pp. 1255-1258 (1992) [in Japanese].
• 4) Minami, T., Nanto, H., Sato, H. and Takata, S., Thin Solid Films, Vol. 164, pp. 275-279 (1988).
• 5) Minami, T., Sato, H., Imamoto, H. and Takata, S., Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 31, pp. L257-L260 (1992).

タイトルに関連する用語 (7件)： RFスパッタ法 ,  作製 ,  不均一 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  結晶状態 ,  電気特性