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J-GLOBAL ID：200902261682040246   整理番号：06A0204888

プラズマ増強化学蒸着による低地球温暖化能力ガスC₄F₆を用いた非晶質ふっ化炭素薄膜の作製

Preparation of Amorphous Fluorinated Carbon Film Using Low Global-Warming Potential Gas, C₄F₆, by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： WATANABE Hiroki (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TOKIMITSU Takumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIGA Jyunko (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  HANEJI Nobuo (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 4-7  ページ： L151-L153  発行年： 2006年02月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ増強化学蒸着(PECVD)によりC<sub>4</s...

シソーラス用語： プラズマCVD ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (25件)：

• International Technology Roadmap for Semiconductors. 5
• UERA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 504
• TAKADA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 2453
• MIYOSHI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 1161
• YONEKURA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 2976

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ増強化学蒸着 ,  地球温暖化 ,  能力 ,  非晶質 ,  ふっ化炭素 ,  薄膜 ,  作製