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J-GLOBAL ID：200902273005506210   整理番号：04A0035042

プラズマ窒化によるAl₂O₃ゲート誘電体における電荷の抑制およびMOSFET性能の改良

Suppression of Charges in Al₂O₃ Gate Dielectric and Improvement of MOSFET Performance by Plasma Nitridation

著者 (8件)： MANABE K (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  ENDO K (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  KAMIYAMA S (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  IWAMOTO T (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  OGURA T (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  IKARASHI N (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  YAMAMOTO T (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN) ,  TATSUMI T (NEC Corp., Sagamihara-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E87-C  号： 1  ページ： 30-36  発行年： 2004年01月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒素プラズマによるAl₂O<sub>3...

シソーラス用語： 酸化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： プラズマ窒化

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (16件)：

• WILK, G. D. Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon. Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 19, 2854-2856
• WILK, G. D. Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics. J. Appl. Phys. 2000, 87, 1, 484-492
• ROBERTSON, J. Band offsets of wide-band-gap oxides and implications for future electronic devices. J. Vac. Sci. Tech. B. 2000, 18, 3, 1785-1791
• LEE, S. J. Hafnium oxide gate stack prepared by in situ rapid thermal chemical vapor deposition process for advanced gate dielectrics. J. Appl. Phys. 2002, 92, 5, 2807-2809
• GREEN, M. L. Nucleation and growth of atomic layer deposited HfO_2 gate dielectric layers on chemical oxide (Si-O-H) and theral oxide (SiO_2 or Si-O-N) underlayers. J. Appl. Phys. 2002, 92, 12, 7168-7174

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ窒化 ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  電荷 ,  MOSFET