ヘキサメチルジシランおよび紫外光励起オゾンを用いて200°Cで成長させた化学的気相成長SiO<sub>2</sub>に対する高度濃縮(≧90%)オゾンの利点

KAMEDA Naoto; KAMEDA Naoto; NISHIGUCHI Tetsuya; NISHIGUCHI Tetsuya; MORIKAWA Yoshiki; KEKURA Mitsuru; NONAKA Hidehiko; ICHIMURA Shingo

文献

J-GLOBAL ID：200902275913071167 整理番号：09A0590859

ヘキサメチルジシランおよび紫外光励起オゾンを用いて200°Cで成長させた化学的気相成長SiO₂に対する高度濃縮(≧90%)オゾンの利点

Advantage of Highly Concentrated (≧90%) Ozone for Chemical Vapor Deposition SiO₂ Grown under 200°C Using Hexamethyldisilazane and Ultraviolet Light Excited Ozone

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 48 号： 5,Issue 2 ページ： 05DB01.1-05DB01.4 発行年： 2009年05月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高度濃縮(≧90%:HC)オゾンあるいは7%オゾンそしてヘキサメチルジシラン(HMDS)あるいはテトラエトキシシラン(TEOS)を用いた場合に対してUV光励起オゾン化学的気相成長(CVD)過程の条件および膜品質を比較した。HMDSと最適化流速をもつUV励起HCオゾンを用いて堆積したSiO₂膜は,漏洩電流密度,エッチング速度そして堆積速度の観点から最高の品質をもっていて,それらは620°Cで成長させた従来の熱TEOS SiO₂の場合に匹敵するかそれより優れている。これらの結果は,200°Cほどの低い温度において実用的速度で高品質SiO₂を堆積するためにはUV光励起オゾンCVDに対してHCオゾンを使用することが望ましいという結論に導く。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

引用文献 (13件)：

B. E. Deal and A. S. Grove: J. Appl. Phys. 36(1965) 3770.
N. Kameda, T. Nishiguchi, Y. Morikawa, M. Kekura, H. Nonaka, and S. Ichimura: presented at 53rd American Vacuum Society (AVS 53), 2006.
H. Okabe: Photochemisty of Small Molecules (Wiley, New York, 1978).
N. Kameda, T. Nishiguchi, Y. Morikawa, M. Kekura, H. Nonaka, and S. Ichimura: J. Electrochem. Soc. 154(2007) H769.
A. Tosaka, T. Nishiguchi, H. Nonaka, and S. Ichimura: Jpn. J. Appl. Phys. 44(2005) L1144.

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ヘキサメチルジシランおよび紫外光励起オゾンを用いて200°Cで成長させた化学的気相成長SiO2に対する高度濃縮(≧90%)オゾンの利点

ヘキサメチルジシランおよび紫外光励起オゾンを用いて200°Cで成長させた化学的気相成長SiO₂に対する高度濃縮(≧90%)オゾンの利点