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J-GLOBAL ID：200902278431536358   整理番号：08A0674373

ミリメートル波応用の高周波GaN HFETの開発

Development of High-Frequency GaN HFETs for Millimeter-Wave Applications

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei-shi, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei-shi, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi-shi, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei-shi, JPN)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)  (IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E91-C  号： 7  ページ： 984-988  発行年： 2008年07月01日 
JST資料番号： L1370A  ISSN： 0916-8524  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリメートル波応用を目的とした,AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果型トランジスタ(HFET)の素子作製プロセスと特性について述べた。高Al組成とAl-GaN障壁薄層,触媒化学気相成長によるSiNパッシベーションおよびサブ100nm Ti系ゲートと用いた,短チャンネル効果を抑制することにより,高周波素子特性を向上するための新規の3方法を開発した。30nmのゲート長をもつAl_0.4Ga_0.6N/GaN HFETは,1.6A/mmの最大ドレイン電流密度と402mS/mmの最大相互コンダクタンスを得た。これらの方法の使用により,181GHzの電流利得遮断周波数と186GHzの最大発振周波数を得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *EHF波 ,  *窒化ガリウム ,  *接合形FET ,  *ヘテロ接合 ,  化学蒸着 ,  触媒調製 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ケイ素 ,  不動態化 ,  二次元電子ガス ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  ドレイン【半導体】 ,  改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• OHNO, Y. Application of GaN-based heterojunction FETs for advanced wireless communication. IEEE Trans. Electron Devices. 2001, 48, 3, 517-523
• FOUTZ, B. E. Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN. J. Appl. Phys. 1999, 85, 11, 7727-7734
• AWANO, Y. Short-channel effects in subquater-micrometer-gate HEMT's : Simulation and experiment. IEEE Trans. Electron Devices. 1989, 36, 10, 2260-2266
• HIGASHIWAKI, M. Barrier thickness dependence of electrical properties and DC device characteristics of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 9A/B, L1147-L1149
• HIGASHIWAKI, M. Cat-CVD SiN-passivated AlGaN-GaN HFETs with thin and high Al composition barrier layers. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 3, 139-141

タイトルに関連する用語 (6件)： ミリメートル波 ,  応用 ,  高周波 ,  GaN ,  HFET ,  開発