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J-GLOBAL ID：200902280560122432   整理番号：09A0851356

Si(110)基板上に成長した組成的に一様および段状傾斜のSiGe膜における歪み緩和メカニズム

Strain relaxation mechanisms in compositionally uniform and step-graded SiGe films grown on Si(110) substrates

著者 (8件)： ARIMOTO Keisuke (Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN) ,  WATANABE Masato (Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN) ,  YAMANAKA Junji (Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN) ,  NAKAGAWA Kiyokazu (Center for Crystal Sci. and Technol., Univ. of Yamanashi, 7-32 Miyamae-cho, Kofu, Yamanashi 400-8511, JPN) ,  SAWANO Kentarou (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  SHIRAKI Yasuhiro (Res. Center for Silicon Nano-Science, Advanced Res. Laboratories, Tokyo City Univ., 8-15-1 Todoroki, Setagaya-ku ...) ,  USAMI Noritaka (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  NAKAJIMA Kazuo (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 53  号： 10  ページ： 1135-1143  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス源分子線エピタキシーによりSi(110)基板上に成長したSiGe膜の歪み緩和プロセスにおける組成グレーディングの役割について研究した。組成的に段状傾斜のバッファ層ありと無しのサンプルの結晶形態を,X線回折と走査型透過電子顕微鏡,および原子間力顕微鏡を用いて調べた。組成傾斜はgrowth twinの核生成を抑制することが分かった。歪み緩和メカニズムはSiGeS層の成長方法に依存することが分かった。加えて,段状傾斜バッファ成長の間の結晶形態の進展を詳細に調べた。傾斜層の成長の間の欠陥の進展およびそれの歪み緩和プロセスへの関連を明らかにした。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *MBE成長 ,  *ケイ素化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  緩和現象 ,  基板 ,  *X線回折 ,  *透過型走査電子顕微鏡 ,  結晶構造 ,  原子間力顕微鏡 ,  核形成
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  STEM

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  成長 ,  組成 ,  SiGe ,  歪み緩和 ,  メカニズム