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J-GLOBAL ID：200902281129137518   整理番号：09A1163543

省インジウムを目的として作製した積層型透明導電膜の特性

Characteristics of Laminating Transparent Conductive Films Aimed at Nursing Indium Ingredient

著者 (5件)： 生田公洋 (大阪産業大学工学部電子情報通信工学科) ,  青木孝憲 (大阪産業大学工学部電子情報通信工学科) ,  鈴木晶雄 (大阪産業大学工学部電子情報通信工学科) ,  松下辰彦 (大阪産業大学工学部電子情報通信工学科) ,  奥田昌宏 (奥田技術事務所)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 129  号： 11  ページ： 1978-1980 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ArFエキシマレーザによるPLD法を用いてITO/AZO(Al₂O₃添加ZnO)積層透明導電膜を形成した。レーザエネルギー密度を変え,総膜厚を300nm(ITO/AZO:50/250nm)とした結果,レーザエネルギー密度が1.2J/cm²の時に6.12Ω/□のシート抵抗値を得た。この値は膜厚が300nmのITO(6.56Ω/□)よりも低く,ITOの使用量を低減できた。可視光帯での平均光透過率は80%以上であり,湿度90%,温度60°Cの耐久試験に対するシート抵抗の変化は僅かであった。

シソーラス用語： 酸化亜鉛 ,  酸化アルミニウム ,  *透明導電膜 ,  シート抵抗 ,  光透過 ,  耐久性 ,  インジウム ,  節約 ,  太陽電池 ,  *薄膜成長 ,  エネルギー密度 ,  パルスレーザ蒸着 ,  ArFレーザ
準シソーラス用語： ArFエキシマレーザ ,  *ITO電極 ,  PLD法 ,  積層膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (5件)：

• SUZUKI, A. Pulsed Laser Deposition of Transparent Conducting Indium Tin Oxide Films in Magnetic Field Perpendicular to Plume. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2. 2001, 40, 4B
• IZUMI, H. Electrical and structural properties of indium tin oxide films prepared by pulsed laser deposition. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 91, issue 3, 1213-1218
• SUZUKI, A. Highly conducting transparent indium tin oxide films prepared by pulsed laser deposition. Thin Solid Film. 2002, 411, Issue 1, 23-27
• TAKATA, S. The stability of aluminum-doped ZnO transparent electrodes fabricated by sputtering. Thin Solid Film. 1986, 135, Issue 2, 15, 183-187
• MINAMI, T. Transparent conducting ZnO thin films deposited by vacuum arc plasma evaporation. Thin Solid Film. 2003, 445, 268-273

タイトルに関連する用語 (3件)： インジウム ,  作製 ,  透明導電膜