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J-GLOBAL ID：200902283872108347   整理番号：09A0334311

絶縁基板上の界面酸化物層を制御した,Si_1-xGe_x(x:0~1)の結晶化

Interfacial-Oxide Layer Controlled Al-Induced Crystallization of Si_1-xGe_x (x:0-1) on Insulating Substrate

著者 (4件)： KUROSAWA Masashi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUMURA Yoshitaka (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH Taizoh (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  MIYAO Masanobu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 3,Issue 3  ページ： 03B002.1-03B002.5  発行年： 2009年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(<500°C)絶縁体上の非晶質Si_1-xGe_x(x:0~1)薄膜のAl誘導結晶化(AIC)への界面の酸化物層の効果を研究した。Siの場合,SiとAl層の間に界面の酸化物層のあるおよびない試料でSi/Al層の反転を達成した。それに加えて,大きい結晶粒(~100μm)の(111)配向の多結晶Siを得るため界面酸化物層の存在が必要なことが分かった。しかし,SiGeの場合,界面の酸化物層は,かなりAIC成長を遅らせた。従って,層交換は,不均一に起こり,これは長いアニール時間(410°C 100h )の後さえ不均一結晶となった。この問題を解決するために,AIC成長に対する界面酸化物層の厚みの効果を研究した。その結果,空気露出時間を制御することによって完全な層交換を全Ge分率(x:0~1)の試料で達成した。定性的モデルを提示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  ゲルマニウム合金 ,  *アルミニウム ,  *結晶化 ,  絶縁膜 ,  酸化物 ,  多結晶 ,  空気 ,  曝露 ,  焼なまし ,  配向

分類 (1件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O)

引用文献 (23件)：

• S. Yamaguchi, N. Sugii, S. K. Park, K. Nakagawa, and M. Miyao: J. Appl. Phys.89(2001)2091.
• M. Miyao, M. Moniwa, K. Kusukawa, and W. Sinke: J. Appl. Phys.64(1988)3018.
• J. Olivares, A. Rodriguez, J. Sangrador, T. Rodriguez, C. Ballesteros, and A. Kling: Thin Solid Films 337(1999)51.
• M. Miyao, T. Sadoh, S. Yamaguchi, and S. K. Park: Proc. Asia-Pacific Workshop Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices, 2001, p. 115.
• H. Watakabe, T. Sameshima, H. Kanno, T. Sadoh, and M. Miyao: J. Appl. Phys.95(2004)6457.

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁基板 ,  界面 ,  酸化物層 ,  結晶化