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J-GLOBAL ID：200902284744352665   整理番号：03A0393138

Si単電子トランジスタのしきい値電圧

Threshold Voltage of Si Single-Electron Transistor

著者 (4件)： FUJIWARA A (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  HORIGUCHI S (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  NAGASE M (NTT Corp., Atsugi, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT Corp., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2429-2433  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オフセット電荷効果を検討するために,Si単電子トランジスタ(...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) Y. Takahashi, Y. Ono, A. Fujiwara and H. Inokawa: J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R995.
• 2) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakajima, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Electron. Lett. 31 (1995) 136.
• 3) Y. Takahashi, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, M. Nagase and K. Murase: IEEE Trans. Electron Devices 43 (1996) 1213.
• 4) D. H. Kim, S. K. Sung, K. R. Kim, J. D. Lee, B. G. Park, B. H. Choi, S. W. Hwang and D. Ahn: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 627.
• 5) K. K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  単電子トランジスタ ,  しきい値電圧