相変化に基づくマルチレベル記憶装置における電気抵抗のパルス数制御

NAKAYAMA K; TAKATA M; KASAI T; KITAGAWA A; AKITA J

文献

J-GLOBAL ID：200902285029710178 整理番号：07A0923657

相変化に基づくマルチレベル記憶装置における電気抵抗のパルス数制御

Pulse number control of electrical resistance for multi-level storage based on phase change

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巻： 40 号： 17 ページ： 5061-5065 発行年： 2007年09月07日
JST資料番号： B0092B ISSN： 0022-3727 CODEN： JPAPBE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

SeSbTeカルコゲナイド半導体を使う相変化(相転移)ランダ...

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半導体集積回路

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