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J-GLOBAL ID：200902286194673640   整理番号：06A0037179

サファイア基板上のAlGaN/GaN-ショートゲート高電子移動度トランジスターのDCおよびRF特性に対するエピタキシャル層の結晶性の効果

Effect of Epitaxial Layer Crystal Quality on DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN Short-Gate High-Electron-Mobility Transistors on Sapphire Substrates

著者 (4件)： SHIOJIMA Kenji (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  MAKIMURA Takashi (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SUEMITSU Tetsuya (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 12  ページ： 8435-8440  発行年： 2005年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶性の異なるサファイア基板上に成長させた4種類のAlGaN...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (27件)：

• FOUTZ, B. E. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 2849
• KIKKAWA, T. IEEE MTT-S Dig., 2004. 2004, 1347
• SHIOJIMA, K. Electron. Lett. 2004, 40, 775
• ISHIDA, H. IEDM Tech. Dig., 2003. 2003, 586
• HIGASHIWAKI, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L475

タイトルに関連する用語 (10件)： サファイア基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  ショート ,  ゲート ,  高電子移動度トランジスター ,  DC ,  RF ,  エピタキシャル層 ,  結晶性