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J-GLOBAL ID：200902288148920236   整理番号：09A0214448

C面4H-SiC MOS構造中のNO直接酸化で生成された界面近傍捕獲中心の研究

Investigation of Near-Interface Traps Generated by NO Direct Oxidation in C-face 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Structures

著者 (6件)： OKAMOTO Dai (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  YANO Hiroshi (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  OSHIRO Yuki (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  HATAYAMA Tomoaki (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  URAOKA Yukiharu (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  FUYUKI Takashi (Nara Institute of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 2  ページ： 021201.1-021201.3  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NO中のC面4H-SiCの直接酸化で作製したMOSコンデンサとMOSFETの特性を調べた。伝導バンド端近傍のエネルギーにおける界面状態密度は直接酸化で低減したが,この過程は酸化物中に界面近傍捕獲中心を生成した。これらの捕獲中心はチャンネル可動電子を捕獲しMOSFETの性能を低下させた。界面状態と界面近傍捕獲中心は酸化後に室温で試料を降ろすことで低減した。窒化ゲート酸化膜を持つ高性能C面4H-SiC MOSFETの作製には界面状態だけでなく界面近傍捕獲中心を低減することが重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  LDD構造 ,  MOS構造 ,  *捕獲中心 ,  界面 ,  *酸化膜
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *ゲート酸化膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (19件)：

• MATSUNAMI, H. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, 6835
• HARADA, S. J. Appl. Phys. 2002, 91, 1568
• PENSL, G. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2001, 640, H3.2.1
• AFANAS'EV, V. V. Phys. Rev. Lett. 1997, 78, 2437
• AFANAS'EV, V. V. Phys. Status Solidi A. 1997, 162, 321

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  MOS構造 ,  NO ,  酸化 ,  界面近傍 ,  捕獲中心 ,  研究