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J-GLOBAL ID：200902289206373131   整理番号：05A1022842

有機金属気相エピタクシーによるr面サファイア上a面GaN成長の形態学的特性

Morphological Characteristics of a-Plane GaN Grown on r-Plane Sapphire by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

著者 (3件)： KUSAKABE Kazuhide (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OHKAWA Kazuhiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OHKAWA Kazuhiro (JST-ERATO, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 11  ページ： 7931-7933  発行年： 2005年11月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： r面サファイア基板に常圧有機金属気相エピタクシーによって成長...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (13件)：

• 1) <I>Introduction to Nitride Semiconductor Blue Laser and Light Emitting Diodes</I>, eds. S. Nakamura and S. F. Chichibu (Taylor & Francis, London, New York, 2000).
• 2) W. A. Melton and J. I. Pankove: J. Cryst. Growth 178 (1997) 168.
• 3) M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 469.
• 4) M. D. Craven, P. Waltereit, J. S. Speck and S. P. DenBaars: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 496.
• 5) M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1281.

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機金属気相エピタクシー ,  サファイア ,  GaN ,  成長 ,  形態学