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J-GLOBAL ID：200902290518982940   整理番号：03A0393108

流速変調エピタキシーによって作製したAlN/GaNヘテロ構造および超格子の平坦な表面と界面

Flat Surfaces and Interfaces in AlN/GaN Heterostructures and Superlattices Grown by Flow-Rate Modulation Epitaxy

著者 (2件)： HIROKI M (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4B  ページ： 2305-2308  発行年： 2003年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高濃度のAlを含むAlNおよびAlGaNを流速変調エピタキシ...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• 1) I. P. Smorchkova, S. Keller, S. Heikman, C. R. Elsass, B. Heying, P. Fini, J. S. Speck and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3998.
• 2) C. Gmachl, H. M. Ng and A. Y. Cho: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1590.
• 3) A. Kikuchi, R. Bannai and K. Kishino: Phys. Status Solidi (a) 188 (2001) 187.
• 4) A. Kikuchi, T. Yamada, S. Nakamura, K. Kusakabe, D. Sugihara and K. Kishino: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L330.
• 5) E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennéguès, H. Lahrèche, M. Leroux and P. Gibart: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 3230.

タイトルに関連する用語 (9件)： 流速 ,  変調 ,  エピタキシー ,  作製 ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  格子 ,  界面