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J-GLOBAL ID：200902154619791400   整理番号：00A0447640

RFプラズマMBE成長させたGa極性GaNの高温成長AlN多重中間層による結晶特性の改善

Improvement of Crystal Quality of RF-Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown Ga-Polarity GaN by High-Temperature Grown AlN Multiple Intermediate Layers.

著者 (6件)： KIKUCHI A (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMADA T (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA S (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KUSAKABE K (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  SUGIHARA D (Sophia Univ., Tokyo, JPN) ,  KISHINO K (Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 4B  ページ： L330-L333  発行年： 2000年04月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0001)Al₂O<sub>3</s...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

引用文献 (18件)：

• USUI, A. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, 36, L899
• NAM, O. H. Appl.Phys.Lett. 1997, 71, 2638
• ZHELEVA, T. MRS Internet J.Nitride Semicond.Res. 1999, 4S1, G3.38
• IWAYA, M. Jpn.J.Appl.Phys. 1998, 37, L316
• SUGIHARA, D. Phys.Status Solidi. 1999, a, 323

タイトルに関連する用語 (10件)： RFプラズマ ,  MBE成長 ,  Ga ,  極性 ,  GaN ,  成長 ,  AlN ,  多重 ,  中間層 ,  結晶