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J-GLOBAL ID：200902293784023680   整理番号：04A0806253

Cuの無電解メッキにおける孔の充填特性に対する添加物の効果

Effect of Additives on Hole Filling Characteristics of Electroless Copper Plating

著者 (5件)： WANG Z (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  YAEGASHI O (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SAKAUE H (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  TAKAHAGI T (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN) ,  SHINGUBARA S (Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 10  ページ： 7000-7001  発行年： 2004年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuの無電解メッキにおける孔の充填特性に対するCl<sup>...

シソーラス用語： *銅 ,...

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分類 (1件)： 無電解めっき  (WC08024S)

物質索引 (4件)： 2-メルカプトニコチン酸 ,  チオ尿素 ,  ベンゾトリアゾール ,  ビス(3-スルホプロピル)ペルスルフィド

引用文献 (12件)：

• 1) M. Kang and A. A. Gewirth: J. Electrochem. Soc. 150 (2003) C426.
• 2) W. P. Dow, H. S. Huang and Z. Lin: Electrochem. Solid-State Lett. 6 (2003) C134.
• 3) S. Y. Chiu, J. M. Shih, S. C. Chang, K. C. Lin, B. T. Dai, C. F. Chen and M. S. Fang: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>18</B> (2000) 2835.
• 4) T. P. Moffat, B. Baker, D. Wheeler and D. Joel: Electrochem. Solid-State Lett. 6 (2003) C59.
• 5) S. G. Pym, S. Kim, D. Wheeler, T. P. Moffat and D. Joel: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1257.

タイトルに関連する用語 (3件)： Cu ,  無電解メッキ ,  添加物