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J-GLOBAL ID：200902294057376541   整理番号：08A0934060

シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性

Electron emission from nanocrystalline silicon based MOS cathodes

著者 (7件)： 嶋脇秀隆 (八戸工大 大学院工学研究科) ,  木田庸 (八戸工大 大学院工学研究科) ,  根尾陽一郎 (静岡大 電子工研) ,  三村秀典 (静岡大 電子工研) ,  村上勝久 (大阪大 極限量子科学研究セ) ,  若家富士夫 (大阪大 極限量子科学研究セ) ,  高井幹夫 (大阪大 極限量子科学研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 177(ED2008 109-123)  ページ： 15-20  発行年： 2008年07月28日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン(nc-Si)からなる面放射型冷陰極を製作し,電子放射特性および放射電子のエネルギー分布の測定を行った。その結果,ゲート電極材料の仕事関数程度の低電圧においてエミッションを観測した。これまでに,ゲート電極膜厚を薄膜化することで電子放射効率(全電流に対する放射電流の割合)4%を得ている。放射電子のエネルギー分散は,2~4eV(FWHM)と広く,ゲート電圧に強く依存している。また,分布は,ゲート電圧の増加と共に高エネルギー側に移動する。電子放射部を小さくアレイ化した場合,エネルギー分散は0.5~1.5eVと狭くなり,高電圧側への移動も著しくはない。ゲート電極内には,無数の亀裂(ナノホール)が観測されていることから,ナノホールを経由した電界放射電子も電子放射に関与していることを示唆している。(著者抄録)

シソーラス用語： *カソード ,  *電子放出 ,  特性 ,  ケイ素 ,  微結晶 ,  ナノ構造 ,  細孔 ,  微結晶シリコン ,  ナノホール
準シソーラス用語： *冷陰極 ,  *電界電子放出

分類 (2件)： 電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F) ,  その他の電気・電子部品  (NA05090R)

引用文献 (8件)：

• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1993, 11, 429
• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1994, 12, 801
• YOKOO, K. J. Vac. Sci. Technol. B. 1996, 14, 2096
• IKEDA, J. J. Vac. Sci. Technol. B. 1998, 16, 818
• MIMURA, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 123514

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  微結晶 ,  放射 ,  冷陰極 ,  電子 ,  放射特性