特許
J-GLOBAL ID：200903000077536286

低k材料用の中間層接着促進剤

発明者：
ル,ビクター

ル,ビクター について

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レオン,ロジャー・ワイ

レオン,ロジャー・ワイ について

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ファン,ウェンヤ

ファン,ウェンヤ について

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ナマン,アナント

ナマン,アナント について

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ジョウ,デ-リン

ジョウ,デ-リン について


出願人/特許権者：
ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  平山 晃二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-538131
公開番号（公開出願番号）：特表2006-500769
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
本発明は、多層誘電体構造の製造と、これらの構造を含む半導体デバイス及び集積回路に関する。本発明の構造は、多孔性誘電層を中間の接着促進性誘電層を介して実質的に無孔の保護層に接着することにより調製する。調製される多層誘電体構造は、約10%以上の多孔度を有する多孔性誘電層;b)該多孔性誘電層上の約10%以下の多孔度を有する接着促進性誘電層;及び該接着促進性誘電層上の実質的に無孔の保護層を有する。
請求項（抜粋）：
a)約10%以上の多孔度を有する多孔性誘電層; b)該多孔性誘電層上の約10%以下の多孔度を有する接着促進性誘電層;及び c)該接着促進性誘電層上の実質的に無孔の保護層 を含む多層誘電体構造。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  C09J 1/00 ,  C09J 171/10 ,  C09J 179/08 ,  C09J 183/02 ,  C09J 183/04 ,  C09J 201/00 ,  H01L 21/312
FI (8件)：
H01L21/316 G ,  C09J1/00 ,  C09J171/10 ,  C09J179/08 Z ,  C09J183/02 ,  C09J183/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/312 A
Fターム (39件)：
4J040EE021 ,  4J040EE041 ,  4J040EE061 ,  4J040EH031 ,  4J040EK021 ,  4J040EK031 ,  4J040HA306 ,  4J040JA10 ,  4J040JB02 ,  4J040LA06 ,  4J040LA09 ,  4J040NA20 ,  4J040PA30 ,  5F058AA10 ,  5F058AC02 ,  5F058AC03 ,  5F058AC04 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AD09 ,  5F058AD12 ,  5F058AF01 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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