特許
J-GLOBAL ID:200903000084321244
固体撮像装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-204208
公開番号(公開出願番号):特開2006-032374
出願日: 2004年07月12日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
【課題】高精細化に伴って画素数が増えると、垂直信号線に接続される画素数が増え、信号処理回路のキャパシタへの負荷が増大するため、キャパシタとしてより大きい容量のものが必要になる。【解決手段】画素アレイ部12の垂直画素列ごとに配されるS/H、CDS回路151のキャパシタC11,C12を、従来の平面型キャパシタに代えて、スタック/トレンチキャパシタを用いて形成することで、キャパシタC11,C12の平面的な占有面積を変えることなく、キャパシタC11,C12の容量値を増大可能とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
光電変換素子を含む画素が行列状に配置されてなる画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の各画素から出力される信号の処理に用いるキャパシタを含み、前記画素アレイ部の画素列ごとに配された信号処理回路とを備え、
前記信号処理回路に含まれる前記キャパシタが、スタックキャパシタまたはトレンチキャパシタからなる
ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件):
H01L 27/146
, H04N 5/335
, H01L 27/04
, H01L 21/822
FI (4件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 E
, H04N5/335 U
, H01L27/04 C
Fターム (27件):
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118DD09
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 5C024CY47
, 5C024GX03
, 5C024GX16
, 5C024GX18
, 5C024GY35
, 5C024HX01
, 5C024HX35
, 5C024HX40
, 5C024HX41
, 5C024HX50
, 5F038AC05
, 5F038AC10
, 5F038CA07
, 5F038CA18
, 5F038DF01
, 5F038DF03
, 5F038DF05
, 5F038DF20
, 5F038EZ20
引用特許:
出願人引用 (1件)
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-242960
出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (12件)
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特開平4-211163
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CMOSイメージセンサ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-341819
出願人:日本ビクター株式会社
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MOS型固体撮像装置および電子カメラ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-100411
出願人:富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
-
特開平4-211163
-
混在型半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-010607
出願人:株式会社東芝
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-201601
出願人:ソニー株式会社
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イメ-ジ・センサのためのメモリを備えたCMOSアクティブ・ピクセル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-100357
出願人:ヒューレット・パッカード・カンパニー
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固体撮像素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-033929
出願人:富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
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CMOSイメージセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-051195
出願人:日本ビクター株式会社
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特開平4-211163
-
CMOSイメージセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-027277
出願人:富士通株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-349599
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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