特許
J-GLOBAL ID：200903000088580554

半導体装置、半導体ウェーハ、およびこれらの製造方法

発明者：
副島 康志

副島 康志 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-106331
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294472
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：
【課題】 ダイシング領域に配線層を有する半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】 シリコン基板101の素子形成面に絶縁層105が設けられ、絶縁層105がシリコン基板101の端面から突出した張出部109を有する半導体装置100において、張出部109は絶縁層105中に埋設されたCuの配線107を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の素子形成面上に設けられた絶縁膜と、 を有し、 前記素子形成面に、 複数の素子領域と、 前記複数の素子領域を分離し、一方の素子領域と他方の素子領域との間を接続する配線を含むダイシング領域と、 が設けられ、 前記ダイシング領域において、前記半導体基板が除去されているとともに、前記絶縁膜の少なくとも一部を有することを特徴とする半導体ウェーハ。
IPC (3件)：
H01L21/301 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/66
FI (4件)：
H01L21/78 L ,  H01L21/66 E ,  H01L21/88 S ,  H01L21/78 Q
Fターム (12件)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB12 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033VV01 ,  5F033XX31
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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