特許
J-GLOBAL ID：200903000138911271
反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-093907
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273514
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】従来のTa系材料よりも加工特性の良好な吸収体膜等を備え、転写精度の良好なパターン転写を実現できる反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上の保護膜6と、バッファー層3と、露光光を吸収する吸収体膜4とを有する反射型マスクブランクス10であって、吸収体膜4は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなる。反射型マスク20は、この反射型マスクブランクスの吸収体膜に転写パターンが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有し、さらに前記多層反射膜と前記吸収体膜との間に、該吸収体膜とエッチング特性が異なるバッファー層を備えた反射型マスクブランクスであって、
前記吸収体膜は、タンタル(Ta)を主成分とし、さらにハフニウム(Hf)またはジルコニウム(Zr)の少なくとも何れか一方の元素を含有する材料からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 2H095BC24
, 2H095BC26
, 5F046GA03
, 5F046GD01
, 5F046GD05
, 5F046GD10
, 5F046GD16
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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