特許
J-GLOBAL ID：200903000302522729
エピタキシャル成長用多孔質基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-110726
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319711
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：
【課題】再現性良く低転位密度のIII族窒化物半導体基板をエピタキシャル成長させることができるエピタキシャル成長用多孔質基板およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体基板の製造方法の提供。【解決手段】サファイヤ基板等の基材上に下地層として第一のGaN層を1μm〜3μm程度に厚く成長させる。この厚さであれば、平坦な結晶を再現性よく成長させることが可能である。つぎに、この上に3nm〜1μm程度のAlGaN層(空隙形成阻止層)を成長させ、この上に300μm程度の第二のGaN層を成長させる。厚く、均一な第一のGaN層の上であるので、AlGaN層と第二のGaN層を平坦かつ均一に再現性良く形成することができる。このような三層構造の基板にTiを蒸着して熱処理を行うと、第二のGaN層中には空隙が多数形成されるが、GaN層よりもエッチングされにくいAlGaN層が空隙形成の進行を食い止めるため、空隙はそれ以上には深くならない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなる下地層と、前記下地層の上に形成された空隙形成阻止層と、前記空隙形成阻止層の上に形成された多孔質III族窒化物半導体層と、前記多孔質III族窒化物半導体層の上に形成された多孔質金属層を有することを特徴とするエピタキシャル成長用多孔質基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/205
, H01L21/302 201A
5F004BA19
, 5F004DA00
, 5F004DA24
, 5F004DB19
, 5F004EA05
, 5F004EA28
, 5F004EA34
, 5F004FA01
, 5F004FA08
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC03
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF10
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045DA67
, 5F045HA03
, 5F045HA13
