バンプを用いた半導体装置、その製造方法、および、バンプの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134327
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313314
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】熱応力がかかっても、バンプと電極との接合状態が維持される信頼性の高いフリップチップの半導体装置を製造する。【解決手段】複数の電極122が形成されている配線基板12と、複数のバンプ142が形成されているICチップ14とを、封止樹脂16を介在させて、電極122とバンプ142とを接合した半導体装置1において、バンプ142が電極122と接合しているバンプのトップ径ΦAと、ICチップ14から突出して電極122と接合しているバンプ142の高さHと、封止樹脂16線膨張率Fとを下記式で規定される範囲にバンプ142を形成する。100<((ΦA×F)/H)<125

請求項（抜粋）：

複数の電極が形成された配線基板と、複数のバンプが形成された半導体集積回路チップとを有し、対応する位置の電極とバンプとを接合させ、さらに、電極とバンプとの接合部分を包囲し、上記配線基板と上記半導体集積回路チップとを接着する封止樹脂とを有する半導体装置であって、上記バンプが上記電極と接合しているバンプのトップ径と、上記バンプの上記半導体集積回路チップから上記電極と接合するまでの高さと、上記封止樹脂の線膨張率との間に下記式Aで規定される範囲に、上記バンプが形成されている、半導体装置。 a<SB>L </SB><((ΦA×F)/H)<a<SB>U </SB> ・・・(A)ただし、ΦAはバンプのトップ径であり、Hはバンプの高さであり、Fは封止樹脂の線膨張率であり、a<SB>L </SB>は下限値であり、a<SB>U </SB>は上限値である。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 602 N

Fターム (4件)：

5F044LL11 , 5F044LL15 , 5F044QQ02 , 5F044RR17

引用特許：

審査官引用 (11件)

集積回路装置の実装方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049736 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及びアンダーフィル材並びに熱硬化性フィルム材
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029510 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-106122 出願人：日本電気株式会社

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