特許
J-GLOBAL ID：200903037906669451

ドライエッチング方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358736
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189537
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 シリコン化合物層、特に、SiOF膜に代表される低誘電率層間絶縁膜を高異方性及び高選択性でドライエッチングできるようにする。【解決手段】 シリコン化合物層をドライエッチングする際に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選択される少なくとも1種類の不活性ガスを含有するエッチングガスを用いる。この場合、オーバーエッチング時に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選ばれる少なくとも1種類の不活性ガスに代えて、比較的質量の小さいアルゴン、ネオン及びヘリウムのからなる群より選択される少なくとも一種類の不活性ガスを使用することが好ましい。エッチングガスに、放電解離条件下のプラズマ中で遊離の硫黄を生成し得る硫黄系化合物を含有させると好ましい。
請求項（抜粋）：
シリコン化合物層をドライエッチングする際に、クリプトン、キセノン及びラドンからなる群より選択される少なくとも1種類の不活性ガスを含有するエッチングガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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