特許
J-GLOBAL ID:200903000660669898

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-059378
公開番号(公開出願番号):特開平11-261105
出願日: 1998年03月11日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 十分な寿命を有し、且つ青色や緑色など幅広い波長領域において発光波長を選択することができる半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子においてInを含む混晶で活性層を作成する場合、少なくともAlまたはBも併せて含む混晶とすることにある。これにより、結晶の熱耐性を向上することができ、素子特性の信頼性を大きく向上することができる。
請求項(抜粋):
AlとInとGaとNとを少なくとも含み、且つ3.42エレクトロンボルトよりも小さいエネルギー・ギャップを有する活性層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 特開平4-236478
  • 半導体発光素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-203084   出願人:日本電信電話株式会社
  • 半導体レーザ及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-184382   出願人:富士通株式会社
全件表示

前のページに戻る