窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高石橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-086615
公開番号（公開出願番号）：特開2003-277196
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2003年10月02日
要約：

【要約】【課題】転位密度の小さな窒化物半導体結晶を基板の全面にわたって形成する窒化物半導体結晶の製造方法、かかる方法により得られた窒化物半導体結晶を有する窒化物半導体ウエハ及び窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体結晶の製造方法は、(a) 基板上に窒化物半導体からなる微結晶粒を形成する工程と、(b) 前記微結晶粒を核として、前記基板の表面に対して傾斜した複数のファセット面を有する窒化物半導体島構造を形成する工程と、(c) 前記窒化物半導体島構造を前記基板の表面と平行な方向に成長させることにより複数の前記窒化物半導体島構造を相互に結合させ、もって平坦な表面を有する窒化物半導体結晶層を形成する工程とを有し、前記工程(a)〜(c) を同一の成長装置内で連続して行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(a) 基板上に窒化物半導体からなる微結晶粒を形成する工程と、(b) 前記微結晶粒を核として、前記基板の表面に対して傾斜した複数のファセット面を有する窒化物半導体島構造を形成する工程と、(c) 前記窒化物半導体島構造を前記基板の表面と平行な方向に成長させることにより複数の前記窒化物半導体島構造を相互に結合させ、もって平坦な表面を有する窒化物半導体結晶層を形成する工程とを有し、前記工程(a) 〜(c) を同一の成長装置内で連続して行うことを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (8件)：

C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/201 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 33/00

FI (6件)：

C30B 29/38 D , H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/201 , H01L 33/00 C , H01L 29/80 H

Fターム (49件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 5F041AA40 , 5F041CA03 , 5F041CA40 , 5F041CA83 , 5F041CB11 , 5F041CB21 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045CA06 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DA52 , 5F045DA67 , 5F045HA06 , 5F052KA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (15件)

GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-211044 出願人：日本電気株式会社
結晶成長用下地基板およびこれを用いた基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-301158 出願人：日本電気株式会社
GaN系半導体素子とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-274555 出願人：日本電気株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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