特許
J-GLOBAL ID：200903000913818224

半導体スーパーキャパシタシステム、その製法、及び該製法による製品

発明者：
ファレル,マーク

ファレル,マーク について

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ルダ,ハリー ユージン

ルダ,ハリー ユージン について

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マサキ,ユウイチ

マサキ,ユウイチ について


出願人/特許権者：
エナージーニアス,インコーポレイテッド

エナージーニアス,インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 丸山 敏之 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-509542
公開番号（公開出願番号）：特表2001-503197
出願日： 1997年08月11日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】本発明は、従来のキャパシタの蓄積容量の1000〜10000倍もあるナノ構造のBaTiO3からなる膜、プレート又はアレイに関する。チタン酸バリウムは、式BaaTibOcで表され、a及びbは、それぞれ0.75〜1.25、cは約2.5〜約5.0である。チタン酸バリウムは、物質”M”でドーピングされてもよく、Mは、Au、Cu、Ni3Al、Ru又はInSnから選択される。得られたチタン酸塩は、式MdBaaTibOcからなり、dは約0.01〜0.25、aは約0.75〜約1.25、bは約0.75〜約1.25、cは約2.5〜約5.0である。X線回折により観察すると、薄膜の結晶構造は、立方晶から正方晶の相及びクリスタライトサイズに変わり、これは、”M”の濃度が増すにつれて増える。
請求項（抜粋）：
基板と薄膜からなる薄膜複合体であって、薄膜はBaaTibOcからなり、a及びbは、それぞれ0.75〜1.25であり、cは約2.5〜約5.0であり、薄膜複合体の蓄積容量は0.3ファラッド/cm3以上である薄膜複合体。
IPC (2件)：
H01G 4/12 310 ,  H01G 4/30 301
FI (2件)：
H01G 4/12 310 ,  H01G 4/30 301 E
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 特開平4-362015
  • 特開平4-362015
  • 誘電体膜の形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278179   出願人：富士化学株式会社
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