特許
J-GLOBAL ID：200903001014243153
絶縁膜形成材料及び絶縁膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 幸久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-325518
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307803
出願日： 2003年09月18日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】 半導体部品などに有用な高耐熱かつ低誘電率のポリベンズアゾール絶縁膜を形成する材料を提供する。【解決手段】 本発明の絶縁膜形成材料は、ケトン及びアルデヒド以外の溶媒に、下記式(1)【化1】(式中、Xは水素原子、カルボキシル基、又は炭化水素基を示し、Y1、Y2、Y3、Y4は、同一又は異なって、単結合又は2価の芳香族環式基を示す)で表されるアダマンタンポリカルボン酸と、下記式(2)【化2】(式中、環Zは単環または多環の芳香環を示し、R1、R2は環Zに結合している置換基であって、同一又は異なって、アミノ基、モノ置換アミノ基、水酸基、又はメルカプト基を示す)で表される芳香族ポリアミンとを溶解して得られる重合性組成物からなることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ケトン及びアルデヒド以外の溶媒に、下記式(1)
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (26件)：
4J043PA02
, 4J043QB32
, 4J043RA42
, 4J043RA52
, 4J043RA57
, 4J043SA06
, 4J043SA08
, 4J043SA47
, 4J043SA71
, 4J043SA83
, 4J043TA13
, 4J043TA66
, 4J043TB01
, 4J043UA082
, 4J043UA121
, 4J043UA131
, 4J043UA261
, 4J043UB401
, 4J043XA14
, 4J043XA15
, 4J043XA16
, 4J043XA18
, 4J043XA19
, 4J043ZA46
, 4J043ZB11
, 4J043ZB47
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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