特許
J-GLOBAL ID:200903001048083376

半導体発光素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-299348
公開番号(公開出願番号):特開2008-117922
出願日: 2006年11月02日
公開日(公表日): 2008年05月22日
要約:
【課題】発光効率の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子は、第1面10a及び第2面11bを有する第1導電型半導体を含む第1領域Aと、第1面13a及び第2面15aを有する第2導電型半導体を含む第2領域Bと、前記第1領域Aの第2面11bと前記第2領域Bの第1面13aとの間に配置された発光層12とを備える。前記第1領域Aの第1面10aと前記第2領域Bの第2面15aとの間には、閉じられた複数の空洞18が周期的に形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1面及び第2面を有する第1導電型半導体を含む第1領域と、 第1面及び第2面を有する第2導電型半導体を含む第2領域と、 前記第1領域の第2面と前記第2領域の第1面との間に配置された発光層とを備え、 前記第1領域の第1面と前記第2領域の第2面との間に、閉じられた複数の空洞が周期的に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/00 ,  G02B 6/12
FI (2件):
H01L33/00 C ,  G02B6/12 Z
Fターム (23件):
2H147AB04 ,  2H147AC02 ,  2H147EA12A ,  2H147EA12B ,  2H147EA12C ,  2H147FA04 ,  2H147FA09 ,  2H147FC03 ,  2H147FC08 ,  2H147FE07 ,  2H147FF08 ,  2H147FF09 ,  5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許:
出願人引用 (6件)
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