特許
J-GLOBAL ID：200903070023769461

フォトニック結晶発光デバイス

発明者：
ジョナサン ジェイ ウィーラー ジュニア

ジョナサン ジェイ ウィーラー ジュニア について

, 
マイケル アール クレイムス

マイケル アール クレイムス について

, 
ミハイル エム シガラス

ミハイル エム シガラス について


出願人/特許権者：
ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー

ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-305297
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129939
出願日： 2004年10月20日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】 発光ダイオード(LED)における光子に対して放射される光の強度を表す抽出効率を高めるフォトニック結晶発光デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 フォトニック結晶構造は、III窒化物発光デバイスのn型層内に形成される。或る種の実施形態では、フォトニック結晶のn型層は、トンネル接合上に形成されている。デバイスは、第1伝導型の第1層と、第2伝導型の第1層と、第1伝導型の第1層と第2伝導型の第1層を分離する活性領域とを含んでいる。トンネル接合は、第1伝導型の第2層と、第2伝導型の第2層を含んでおり、第1伝導型の第1層を第1伝導型の第3層から分離している。フォトニック結晶構造は、第1伝導型の第3層内に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光デバイスにおいて、 n型領域とp型領域の間に配置されている活性領域を含むIII窒化物半導体構造と、 n型領域内に形成されているフォトニック結晶構造と、を備えていることを特徴とするデバイス。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (4件)：
5F041AA03 ,  5F041CA08 ,  5F041CA74 ,  5F041CA87
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5,955,749号、
  • 米国特許出願第10/059,588号、
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM