特許
J-GLOBAL ID：200903001092448926
太陽電池およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147038
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331077
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 結晶半導体の無駄を生じることなく太陽電池を安価に製造することができる方法および安価な太陽電池を提供することである。【解決手段】 予めp型の多結晶シリコンインゴット2の所定の深さに水素をイオン注入する。原子状水素4が注入された多結晶シリコンインゴット2を導電性接着剤3を用いてステンレス基板1の表面に接着する。熱処理により多結晶シリコンインゴット2から原子状水素4を析出させて空孔4aを形成する。熱衝撃により多結晶シリコンインゴット2を空孔4aの領域で切断することによりステンレス基板1上にp型シリコン層2aを形成する。p型シリコン層2aにn型ドーパントをドーピングし、熱処理を行うことによりn型シリコン層5を形成する。その後、n型シリコン層5の表面に電極6および反射防止膜7を形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の結晶半導体の所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入した後、前記結晶半導体を基板上に接着し、熱処理により前記結晶半導体から前記所定の元素を析出させて前記結晶半導体中に層状に分布した空孔を形成し、熱処理により前記結晶半導体を前記層状に分布した空孔の領域で切断して前記基板上に第1導電型の半導体層を形成し、前記第1導電型の半導体層中または前記第1導電型の半導体層上に第2導電型の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/04
, C30B 29/06
, C30B 31/22
, C30B 33/02
H01L 31/04 T
, C30B 29/06 B
, C30B 31/22
, C30B 33/02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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