特許

J-GLOBAL ID：200903001235752419

レーザ処理装置、レーザ処理方法及び半導体装置の作製方法

発明者： 田中 幸一郎 ,  山本 良明
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-244026
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100804
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。【解決手段】 本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

レーザ光を射出するレーザ発振器と、 前記射出されたレーザ光を線状レーザ光に加工するレンズと、 気体を加熱するヒータと、 を有し、 前記線状レーザ光の照射面に、前記加熱した気体を吹き付けることを特徴とするレーザ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136

FI (5件)：

H01L21/20 ,  H01L21/268 G ,  H01L29/78 627G ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368

Fターム (154件)：

2H092GA59 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA03 ,  5F152AA06 ,  5F152AA11 ,  5F152AA15 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152BB08 ,  5F152BB10 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC07 ,  5F152CD09 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE24 ,  5F152CE35 ,  5F152CE36 ,  5F152CE37 ,  5F152CE44 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152DD07 ,  5F152DD09 ,  5F152EE02 ,  5F152EE05 ,  5F152EE11 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152EE20 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FF30 ,  5F152FF36 ,  5F152FF39 ,  5F152FF47 ,  5F152FF48 ,  5F152FG01 ,  5F152FG04 ,  5F152FG19 ,  5F152FG23 ,  5F152FH03 ,  5F152FH18 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152MM01 ,  5F152MM02 ,  5F152MM04 ,  5F152MM11 ,  5F152MM20 ,  5F152NN01 ,  5F152NN12 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP03 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NP22 ,  5F152NP23 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ12 ,  5F152NQ13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レーザー照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-021011   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

• レーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-115794   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法、並びにレーザー処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-387256   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-105711   出願人：株式会社日立製作所
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-001583   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 画像表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-215239   出願人：株式会社日立製作所