特許
J-GLOBAL ID：200903001392111273
半導体装置,半導体装置の製造方法,スタック型半導体装置及びスタック型半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-274813
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093944
出願日： 2000年09月11日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の面積を増大させることなく,機能の異なる半導体素子を混載することが可能な半導体素子及びその製造方法等を提供する。【解決手段】 配線104の一部は,半導体素子101の側面にも形成され,かつ,突起電極102は,その側面が半導体素子101の側面に形成された配線104と略同一面上になるように形成されると共に,ボール電極103の少なくとも一部は,半導体素子側面の配線104と電気的に接続するように形成されており,及び,半導体素子側面は,配線104を露出させて樹脂封止されると共に,回路形成面の対向面は樹脂封止される。
請求項（抜粋）：
回路形成面に複数の電極を有する半導体素子と,少なくとも前記回路形成面に形成され,その一端が前記電極と接続される配線と,前記配線と接続された突起電極と,前記突起電極の表面を露出させて前記半導体素子の回路形成面を封止する樹脂封止と,前記樹脂から露出している前記突起電極上の表面にボール電極が形成される半導体装置であって,前記配線の一部は,さらに前記半導体素子の側面にも形成され,かつ,前記突起電極は,前記突起電極の側面が前記半導体素子の側面に形成された前記配線と略同一面上になるように形成されると共に,前記ボール電極の少なくとも一部は,前記半導体素子側面の前記配線と電気的に接続するように形成されており,及び,前記半導体素子側面は,前記配線を露出させて樹脂封止されると共に,前記回路形成面の対向面は,前記半導体素子側面に形成された前記配線端面を含む全面が樹脂封止される,ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 23/12 501
, H01L 23/12
, H01L 21/301
, H01L 21/3205
, H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
H01L 23/12 501 P
, H01L 23/12 501 C
, H01L 21/78 L
, H01L 21/88 T
, H01L 25/14 Z
5F033HH11
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033KK08
, 5F033RR22
, 5F033VV07
