特許
J-GLOBAL ID：200903001434919560
垂直ナノチューブを利用した不揮発性メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-384459
公開番号（公開出願番号）：特開2004-172616
出願日： 2003年11月14日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】垂直ナノチューブを利用した不揮発性メモリ素子を提供する。【解決手段】メモリ素子は、ソース領域13の形成された基板11と、基板11上に垂直成長され、一端部がソース領域13と連結されて電子移動チャンネルになるナノチューブカラム10を、複数配列してなるナノチューブカラムアレイと、ナノチューブカラム10の外周面に形成されるメモリセル19と、メモリセル19の外周面に形成される制御ゲート17及び、ナノチューブカラム10の他端部と連結されるドレイン領域15と、を含む。イオンドーピングの必要ない単純な工程を通じて超高集積の不揮発性メモリ素子が具現できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ソース領域が形成された基板と、
前記基板上に垂直成長され、一端部が前記ソース領域と連結されて電子移動チャンネルになるナノチューブカラムを、複数配列してなるナノチューブカラムアレイと、
前記ナノチューブカラムの外周面に形成されるメモリセルと、
前記メモリセルの外周面に形成される制御ゲートと、
前記ナノチューブカラムの他端部と連結されるドレイン領域と、を含むことを特徴とするメモリ素子。
IPC (4件)：
H01L21/8247
, H01L27/115
, H01L29/788
, H01L29/792
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP02
, 5F083EP17
, 5F083EP22
, 5F083EP55
, 5F083EP61
, 5F083ER21
, 5F083GA09
, 5F083HA10
, 5F083JA60
, 5F083PR21
, 5F083PR22
, 5F101BA01
, 5F101BA45
, 5F101BB02
, 5F101BD12
, 5F101BD16
, 5F101BD39
, 5F101BE07
, 5F101BH02
