特許

J-GLOBAL ID：200903001528004271

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 伊藤 潤 ,  柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  千田 昌伸 ,  野杁 静代 ,  浅見 慎也 ,  渡邉 大志
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-041222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168386
出願日： 2000年02月18日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【目的】 基板とIII族窒化物系化合物半導体層との積層体がそらないようにする。【構成】 素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層をテクスチャー構造とされた該下地層の表面に形成する。

請求項（抜粋）：

基板と、素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層と、前記基板と前記III族窒化物系化合物半導体層との間に下地層とを有し、該下地層の表面がテクスチャー構造である、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (9件)：

5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F073CB05 ,  5F073EA07 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-036620   出願人：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025852   出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
• エッチング方法および半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-269066   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058798   出願人：株式会社日立製作所
• 窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-164169   出願人：パイオニア株式会社